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Si2323DDS-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Si2323DDS-T1-GE3 product

Si2323DDS-T1-GE3

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23

Der Si2323DDS-T1-GE3 ist ein leistungsstarker P-Kanal-TrenchFET-MOSFET, der für effizientes Energiemanagement in kompakten SOT-23-Gehäusen optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen, die thermische Grenzen überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vds
-20 V
Id
-5,3 A
Rds(on)
0,039 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

2d4dd9713a434c2eeecd66a99c4aa4d9_1809291541_Vishay-Intertech-Si2323DDS-T1-GE3_C165449.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si2323DDS-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 20V P-Kanal-MOSFET von Vishay Siliconix, der für niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten optimiert ist.