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Si2323DS-T1-E3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Si2323DS-T1-E3-HXY product

Si2323DS-T1-E3-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23Trench

Der Si2323DS-T1-E3 ist ein P-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Niederspannungsschalt- und PWM-Anwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über -20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung für 1,4W Verlustleistung

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-5 A
RDS(on)
<40 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

29ef1554ff9ef7e18d6539618ef5247a_2403251714_HXY-MOSFET-Si2323DS-T1-E3-HXY_C22366437.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si2323DS-T1-E3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der Trench-Technologie nutzt und für den Betrieb bei niedrigen Spannungen optimiert ist.