ProjektePreiseInsights

SI2323DS-T1-E3-MS KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2323DS-T1-E3-MS product

SI2323DS-T1-E3-MS

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23Trench DMOS

Der SI2323DS-T1-E3-MS ist ein P-Kanal-Trench-DMOS-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, ausgelegt für -20V und -4.5A.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Schnelle Schaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über -20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen bei kompakten Leiterplattenlayouts

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-4.5 A
RDS(ON)
40 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

2e94e95926833d92ad1d8e62f3f1f233_2212290930_MSKSEMI-SI2323DS-T1-E3-MS_C5343295.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2323DS-T1-E3-MS laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.