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SI2323DS-T1-ES KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2323DS-T1-ES product

SI2323DS-T1-ES

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23Leistungsschalter

Der SI2323DS-T1-ES ist ein -20V P-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und DC-DC-Wandlung.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • Lastschalter
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 3A Dauerstrom

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Schwellenspannung

Wichtige Specs

Vds
-20 V
Id
-3,3 A
Rds(on)
36 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2323DS-T1-ES laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie für effizientes Schalten nutzt.