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SI2325DS-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2325DS-T1-GE3 product

SI2325DS-T1-GE3

MOSFETs - Single

P-Kanal150VMOSFETSOT-23

Der Si2325DS ist ein P-Kanal 150V TrenchFET-MOSFET, der für Hochspannungsanwendungen wie aktive Klemmschaltungen in DC/DC-Netzteilen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Aktive Klemmschaltungen
  • DC/DC-Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen hohen Stromfluss über 0,7A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung des SOT-23-Gehäuses
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-150 V
ID
-0,69 A
RDS(on)
1,2 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

2d9559abeed7d57a7011c4dca121fe3f_1912111437_Vishay-Intertech-SI2325DS-T1-GE3_C60773.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2325DS-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der Si2325DS ist ein P-Kanal 150V TrenchFET-Leistungs-MOSFET in einem kompakten SOT-23-Gehäuse.