Si2328DS-T1-GE3-HXY Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HXY MOSFET | PartGenie

KI-Zusammenfassung

Si2328DS-T1-GE3-HXY product

Der Si2328DS-T1-GE3 ist ein 100V N-Kanal SGT-MOSFET im SOT-23-3L-Gehäuse, der für Unterhaltungselektronik, Motorsteuerung und synchrone Gleichrichtung geeignet ist.

Ideal für

Netzteile für Unterhaltungselektronik
Motorsteuerungsschaltungen
Synchrone Gleichrichtung

Vermeiden, wenn

Anwendungen mit kontinuierlichen Strömen deutlich über 5A
Hochleistungsdesigns, die 1W Verlustleistung ohne robuste Kühlung überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

Thermische Auslegung
Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS: 100 V
ID: 5 A
RDS(on): 140 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

UnterhaltungselektronikMotorsteuerungStromversorgung

Datenblatt

a388dc2fbbf85663231ec6d046fde519_2403261740_HXY-MOSFET-Si2328DS-T1-GE3-HXY_C22367049.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si2328DS-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal SGT (Shielded Gate Trench) Enhancement-Mode MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.