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SI2333CDS-T1-E3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2333CDS-T1-E3 product

SI2333CDS-T1-E3

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-2312V

Der Si2333CDS ist ein 12V P-Kanal TrenchFET-MOSFET im kompakten SOT-23-Gehäuse, optimiert für Last- und PA-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PA-Schaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 12V

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Source-Spannungsgrenzwerte

Wichtige Specs

VDS
-12 V
ID
-5,1 A
RDS(on)
35 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

3267b6b6fe11cff3d3e6a964c3d111ab_1806121240_Vishay-Intertech-SI2333CDS-T1-E3_C144846.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2333CDS-T1-E3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET für Niederspannungs-Schaltanwendungen, der die TrenchFET-Technologie von Vishay nutzt.