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SI2333CDS-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2333CDS-T1-GE3 product

SI2333CDS-T1-GE3

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-2312V

Der SI2333CDS-T1-GE3 ist ein 12V P-Kanal TrenchFET-MOSFET, der für effizientes Last- und PA-Schalten in kompakten SOT-23-Gehäusen optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PA-Schaltung
  • Tragbare Elektronik

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 12V
  • Hochstromdesigns, die eine überlegene Wärmeableitung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand RthJA
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-12 V
ID
-5,1 A
RDS(on)
35 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

LastschalterPA-Schalter

Datenblatt

55269bf1c9d7994b7751c4d32dceecd5_1809201810_Vishay-Intertech-SI2333CDS-T1-GE3_C48179.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2333CDS-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET von Vishay Siliconix, der für Niederspannungs-Schaltanwendungen optimiert ist.