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SI2333DDS-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2333DDS-T1-GE3 product

SI2333DDS-T1-GE3

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET12VSOT-23TrenchFET

Der SI2333DDS-T1-GE3 ist ein leistungsstarker P-Kanal-TrenchFET-MOSFET, der für effiziente Schaltanwendungen bei niedrigen Spannungen optimiert ist.

Ideal für

  • Tragbares Energiemanagement
  • Lastschaltung
  • Batterieschutzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 12V
  • Extreme Hochtemperaturumgebungen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmewiderstand (RthJA)

Wichtige Specs

VDS
-12 V
ID
-6 A
RDS(on)
28 mOhm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

b9541eb4b0885873c267f329671443df_1806131830_Vishay-Intertech-SI2333DDS-T1-GE3_C183004.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2333DDS-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-12V-MOSFET von Vishay Siliconix, der TrenchFET-Technologie für effizientes Schalten im kompakten SOT-23-Gehäuse nutzt.