ProjektePreiseInsights

SI2333DDS-T1-GE3-MS KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2333DDS-T1-GE3-MS product

SI2333DDS-T1-GE3-MS

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23Trench DMOS

Der SI2333DDS-T1-GE3-MS ist ein P-Kanal-MOSFET (-12V, -5.5A) im SOT-23-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten in tragbaren Geräten.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • Lastschalter
  • Batteriemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über -12V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
-12 V
ID
-5.5 A
RDS(ON)
25 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Tragbare ElektronikEnergieverwaltung

Datenblatt

0f884f00a1d959fe73073a7a766ec0d3_2212290930_MSKSEMI-SI2333DDS-T1-GE3-MS_C5343298.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2333DDS-T1-GE3-MS laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Trench-DMOS-Technologie, der für schnelles Schalten und niedrigen Einschaltwiderstand ausgelegt ist.