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SI2336DS-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI2336DS-T1-GE3 product

SI2336DS-T1-GE3

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VSOT-23

Der Si2336DS-T1-GE3 ist ein 30V N-Kanal TrenchFET-MOSFET, der für effizientes Schalten in kompakten DC/DC- und Aufwärtswandler-Schaltungen optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Aufwärtswandler
  • Schaltanwendungen mit geringer Leistung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine hohe Strombelastbarkeit jenseits der thermischen Grenzen von SOT-23 erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
5,2 A
RDS(on)
0,042 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

dc7377dbb6c083fbdf1f51cad22517f1_2103221711_Vishay-Intertech-SI2336DS-T1-GE3_C727324.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI2336DS-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 30V N-Kanal-MOSFET von Vishay Siliconix, der TrenchFET-Technologie verwendet und in einem SOT-23 (TO-236) Gehäuse untergebracht ist.