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Si2342DS-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Si2342DS-T1-GE3-HXY product

Si2342DS-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalSOT-2320V

Der Si2342DS-T1-GE3 ist ein 20V, 7A N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Niederspannungsschaltungen
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung bei hohen Strömen

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
7 A
RDS(on)
17 mΩ (max @ 4.5V)

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

e75670acd73f26a1812e982c28b12deb_2403261739_HXY-MOSFET-Si2342DS-T1-GE3-HXY_C22366944.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si2342DS-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und für niedrigen RDS(ON) sowie geringe Gate-Ladung optimiert ist.