Si2343DS-T1-GE3-HXY Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HXY MOSFET | PartGenie

KI-Zusammenfassung

Si2343DS-T1-GE3-HXY product

Der Si2343DS-T1-GE3 ist ein P-Kanal-MOSFET mit 30V im SOT-23-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und Batterieschutz.

Ideal für

Batterieschutz
Lastschalter
PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die Spannungen oder Ströme außerhalb der -30V/-4.1A-Spezifikation erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitung im SOT-23-Gehäuse.

Wichtige Specs

VDS: -30 V
ID: -4.1 A
RDS(on): 48 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si2343DS-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der Trench-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung nutzt.