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Si2392ADS-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Si2392ADS-T1-GE3-HXY product

Si2392ADS-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100V

Der Si2392ADS-T1-GE3 ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für Schaltanwendungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 5A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
5 A
RDS(on)
110 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

145b1fad1e90be48e7aa32b7e5d9e5a7_2403261655_HXY-MOSFET-Si2392ADS-T1-GE3-HXY_C22366485.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si2392ADS-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für effiziente Schaltanwendungen.