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SI3139KDW-TP-ES KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI3139KDW-TP-ES product

SI3139KDW-TP-ES

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-323Trench

Der SI3139KDW-TP-ES ist ein -20V P-Kanal-MOSFET im SOT-323-Gehäuse, der für Anwendungen mit geringer Leistung und DC-DC-Wandlung optimiert ist.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • Lastschalter
  • DC-DC-Wandlung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 0,15W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement bei kompakten SOT-323-Layouts

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-0,5 A
RDS(on)
610 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

57b4e132a0cdc6a87cb6021453e96290_2308171740_ElecSuper-SI3139KDW-TP-ES_C7528012.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI3139KDW-TP-ES laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrigen RDS(ON) und geringe Gate-Ladung ausgelegt ist.