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SI3139KE-TP-ES KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI3139KE-TP-ES product

SI3139KE-TP-ES

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-523Trench

Der SI3139KE-TP-ES ist ein -20V P-Kanal-Trench-MOSFET im kompakten SOT-523-Gehäuse, optimiert für kleine Schaltanwendungen und DC-DC-Wandler.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • Lastschalter
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 0,5A

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Schwellenspannung

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-0,5 A
RDS(on)
580 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

ec7d55faedfcc5829b15b65bf6926edb_2308171739_ElecSuper-SI3139KE-TP-ES_C7528007.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI3139KE-TP-ES laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand in einem platzsparenden Gehäuse nutzt.