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Si3932DV-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Si3932DV-HXY product

Si3932DV-HXY

MOSFETs - Arrays

Dualer MOSFETN-KanalTrench-TechnologieSOT-23-6L

Der Si3932DV ist ein dualer N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET im SOT-23-6L-Gehäuse, der für Batterieschutz- und Lastschaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Kompaktes Lastschalten

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 4,5 A Dauerstrom
  • Umgebungen, die eine extreme thermische Robustheit erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermische Ableitungsfläche auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
4,5 A
RDS(on)
38 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatterieschutzLastschalter

Datenblatt

ae34cba5c424d768b88fdf0ebf7a07e3_2403261736_HXY-MOSFET-Si3932DV-HXY_C22366665.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si3932DV-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der Si3932DV ist ein dualer N-Kanal-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für effizientes Schalten in kompakten Anwendungen entwickelt wurde.