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Si4134DY-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Si4134DY-HXY product

Si4134DY-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VSOP-8

Der Si4134DY ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für allgemeine Schaltanwendungen, Batterieschutz und Lastmanagement geeignet ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Spannungen über 30V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
8.5 A
RDS(ON)
14 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

3a2ed5d8097bd95e1be41be7f314b19b_2403261735_HXY-MOSFET-Si4134DY-HXY_C22366579.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si4134DY-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für Anwendungen mit niedrigem RDS(ON) und niedriger Gate-Ladung entwickelt wurde.