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SI4134DY-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI4134DY-T1-GE3 product

SI4134DY-T1-GE3

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VTrenchFET

Der SI4134DY-T1-GE3 ist ein 30V N-Kanal TrenchFET-MOSFET von Vishay Siliconix, der speziell für effiziente DC/DC-Wandler in Notebooks entwickelt wurde.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Notebook-Stromversorgung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 30V
  • Umgebungen mit hohen Temperaturen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
14 A
RDS(on)
0,0140 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8542390001.0

Anwendung

StromversorgungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

cf39a04ff9f3ed76c420b75a2398153d_2011191404_Vishay-Intertech-SI4134DY-T1-GE3_C142600.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI4134DY-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET für 30V-Anwendungen, der sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine optimierte Gate-Ladung für effizientes Schalten auszeichnet.