ProjektePreiseInsights

Si4178DY-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Si4178DY-T1-GE3-HXY product

Si4178DY-T1-GE3-HXY

MOSFETs

MOSFETN-Kanal30VSOP-8

Der Si4178DY-T1-GE3 ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltanwendungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 30V
  • Designs mit sehr hohen Strömen über 8,5A

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
8,5 A
RDS(on)
14 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

a468982bf03db70be60d1da7275984f3_2403261735_HXY-MOSFET-Si4178DY-T1-GE3-HXY_C22366569.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si4178DY-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für effizientes Schalten in Batterieschutz- und Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.