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Si4178DY-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Si4178DY-T1-GE3 product

Si4178DY-T1-GE3

Transistors

N-KanalMOSFET30VSO-8

Der Si4178DY ist ein 30V N-Kanal TrenchFET-MOSFET im SO-8-Gehäuse, optimiert für Notebook-Stromversorgungen und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • Notebook-Stromversorgung
  • DC/DC-Wandler mit niedrigem Strom

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Drain-Source-Spannung von mehr als 30V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
12 A
RDS(on)
0,021 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

d503897c634d8c74819282de836a633b_1806121748_Vishay-Intertech-Si4178DY-T1-GE3_C75685.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si4178DY-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der Si4178DY ist ein 30V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay Siliconix, der TrenchFET-Technologie für effizientes Schalten nutzt.