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Si4288DY-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Si4288DY-HXY product

Si4288DY-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-Kanal40V

Der Si4288DY ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, ausgelegt für 40V und 12A Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 2,9W Verlustleistung ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
12 A
RDS(on)
16 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

49b33f12c1b245e48f9616ed0951facc_2403261739_HXY-MOSFET-Si4288DY-HXY_C22366961.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si4288DY-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein dualer N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET mit Trench-Technologie, optimiert für niedrigen Einschaltwiderstand.