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SI4386DY-T1-E3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI4386DY-T1-E3-HXY product

SI4386DY-T1-E3-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VSOP-8

Der SI4386DY-T1-E3 ist ein 30V, 18A N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für effizientes Schalten und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
30V
ID
18A
RDS(ON)
6.5mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI4386DY-T1-E3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(ON)) und geringe Gate-Ladung auszeichnet.