ProjektePreiseInsights

SI4401FDY-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI4401FDY-T1-GE3 product

SI4401FDY-T1-GE3

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET40VSO-8

Der Si4401FDY ist ein leistungsstarker P-Kanal TrenchFET Gen III MOSFET, der für Stromschaltanwendungen im SO-8-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Batteriemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Polarität erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
-40 V
ID
-14 A
RDS(on)
0.0142 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541100080.0

Anwendung

EnergiemanagementMotorsteuerung

Datenblatt

e441066191042c47da0cc4faeafad7ae_2301040930_Vishay-Intertech-SI4401FDY-T1-GE3_C5224047.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI4401FDY-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET, der die TrenchFET Gen III-Technologie von Vishay nutzt und in einem SO-8-Gehäuse untergebracht ist.