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SI4410BDY-T1-E3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI4410BDY-T1-E3-HXY product

SI4410BDY-T1-E3-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VSOP-8

Der SI4410BDY-T1-E3 ist ein 30V, 8.5A N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, optimiert für effiziente Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen deutlich über 30V
  • Hochleistungsdesigns, die die Verlustleistung von 1.5W ohne externe Kühlung überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
8.5 A
RDS(on)
< 18 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

a6002b6e9345a2a3cca7ad340f5d9412_2403261735_HXY-MOSFET-SI4410BDY-T1-E3-HXY_C22366571.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI4410BDY-T1-E3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und für effizientes Schalten in Batterieschutz- und Energiemanagementschaltungen konzipiert ist.