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SI4435DDY-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI4435DDY-T1-GE3-HXY product

SI4435DDY-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalSOP-8

Der SI4435DDY-T1-GE3 ist ein P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für effiziente Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik oder höhere Spannungsfestigkeiten erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-9 A
RDS(ON)
< 20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

da5f095d763b250e6d643f08263dd534_2403261740_HXY-MOSFET-SI4435DDY-T1-GE3-HXY_C22367020.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI4435DDY-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Trench-MOSFET, der für effizientes Schalten in Batterieschutz- und Energiemanagementschaltungen entwickelt wurde.