ProjektePreiseInsights

SI4435DDY-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI4435DDY-T1-GE3 product

SI4435DDY-T1-GE3

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETTrenchFET30V

Der Si4435DDY-T1-GE3 ist ein leistungsstarker P-Kanal-TrenchFET-MOSFET, der für Last- und Batterieschaltanwendungen in Industrie- und Unterhaltungselektronik optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Polarität erfordern
  • Hochfrequenzschalten, das die Gate-Ladungsgrenzen überschreitet

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vds
-30 V
Id
-11,4 A
Rds(on)
0,024 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

PRICS00003-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI4435DDY-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 30V P-Kanal-MOSFET von Vishay Siliconix, der TrenchFET-Technologie für effizientes Schalten verwendet.