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SI4435DYTRPBF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI4435DYTRPBF product

SI4435DYTRPBF

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalEnergieverwaltung

Der SI4435DYPbF ist ein hocheffizienter P-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET, der für Batteriemanagement und Lastschaltanwendungen im kompakten SO-8-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Lastschaltung
  • Energieverwaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 8A
  • Extreme thermische Umgebungen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeabfuhranforderungen

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-8 A
RDS(on)
0,020 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

International-Rectifier-company-55.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI4435DYTRPBF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon, der für niedrigen Einschaltwiderstand und effizientes Schalten in kompakten SMD-Anwendungen entwickelt wurde.