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Si4532CDY-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

Si4532CDY-HXY product

Si4532CDY-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual-KanalSOP-8

Der Si4532CDY ist ein Dual-N+P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für Batterieschutz- und Schaltanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen, die thermische Grenzen überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmewiderstand

Wichtige Specs

VDS
30V / -30V
ID
7A / -8.5A
RDS(ON)
<25mΩ / <35mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

4834c32dfcfafdf9d01f658936e4721e_2403261738_HXY-MOSFET-Si4532CDY-HXY_C22366933.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für Si4532CDY-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Dual-N+P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie nutzt und in einem SOP-8-Gehäuse untergebracht ist.