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SI4599DY-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI4599DY-T1-GE3 product

SI4599DY-T1-GE3

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual-Kanal40VSO-8

Der Si4599DY ist ein komplementäres 40V N- und P-Kanal-MOSFET-Paar im SO-8-Gehäuse, das für Stromwandleranwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • LCD-Hintergrundbeleuchtungs-Inverter
  • Vollbrücken-Leistungswandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem hohe Ströme über 6A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID (N-Kanal)
6,8 A
ID (P-Kanal)
-5,8 A
Gehäuse
SO-8

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungLCD-Hintergrundbeleuchtung

Datenblatt

Vishay-company-15.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI4599DY-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein duales N- und P-Kanal 40V TrenchFET-MOSFET-Paar in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse.