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SI4599DY-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI4599DY-T1-GE3 product

SI4599DY-T1-GE3

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual-KanalTrenchFET40V

Der SI4599DY-T1-GE3 ist ein duales N- und P-Kanal 40V TrenchFET-MOSFET-Paar im SO-8-Gehäuse, optimiert für Stromwandleranwendungen.

Ideal für

  • LCD-Hintergrundbeleuchtung
  • Vollbrücken-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die höhere Strom- oder Spannungswerte erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vds
40 V
Id (N-Kanal)
6,8 A
Id (P-Kanal)
-5,8 A
Rds(on) (N-Kanal)
35,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

StromwandlungLCD-Displays

Datenblatt

a4da41d6e77b0d8337c79560e395f303_1809131522_Vishay-Intertech-SI4599DY-T1-GE3_C141629.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI4599DY-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein duales (N- und P-Kanal) Leistungs-MOSFET-Paar von Vishay Siliconix in einem SO-8-Gehäuse für die Oberflächenmontage.