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SI4904DY-T1-E3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI4904DY-T1-E3-HXY product

SI4904DY-T1-E3-HXY

MOSFETs - Arrays

Dualer MOSFETN-Kanal40VSOP-8

Der SI4904DY-T1-E3 ist ein dualer N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOP-8-Gehäuse für 40V/12A-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 40V oder 12A Dauerstrom

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
12 A
RDS(ON)
16 mΩ (max bei 10V)

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

f0bdae9b6d770ef08c93beb71a0510c8_2403261739_HXY-MOSFET-SI4904DY-T1-E3-HXY_C22366955.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI4904DY-T1-E3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein dualer N-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie für Batterieschutz und Lastschaltanwendungen.