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SI4925DDY-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI4925DDY-T1-GE3-HXY product

SI4925DDY-T1-GE3-HXY

MOSFETs

Dual P-KanalMOSFETSOP-8Trench-Technologie

Der SI4925DDY-T1-GE3 ist ein dualer P-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für PWM-Anwendungen und Lastschalter optimiert ist.

Ideal für

  • PWM-Steuerung
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1,5 W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeabfuhranforderungen

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-8.5 A
RDS(ON)
18 mΩ
Gehäuse
SOP-8

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

f474fd50918afc6f7c72fb0bf1b5fca4_2404231719_HXY-MOSFET-SI4925DDY-T1-GE3-HXY_C22367334.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI4925DDY-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und in einem SOP-8-Gehäuse geliefert wird.