ProjektePreiseInsights

SI4948BEY-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI4948BEY-T1-GE3 product

SI4948BEY-T1-GE3

MOSFETs - Arrays

MOSFETP-KanalDual60V

Der Si4948BEY ist ein dualer P-Kanal 60V MOSFET im SO-8 Gehäuse, ideal für Leistungsschaltanwendungen.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Allgemeine industrielle Schaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Hochleistungsdesigns außerhalb der thermischen Grenzen

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

Vds
-60 V
Id
-3.1 A
Rds(on)
0.120 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

LeistungAllgemein

Datenblatt

a37fa93d10fdbced7cb7e8e4cf63a446_2110081930_Vishay-Intertech-SI4948BEY-T1-GE3_C2903706.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI4948BEY-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein dualer P-Kanal 60V TrenchFET MOSFET im SO-8 Gehäuse.