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SI7106DN-T1-E3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI7106DN-T1-E3-HXY product

SI7106DN-T1-E3-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET20V60A

Der SI7106DN-T1-E3 ist ein 20V, 60A N-Kanal-MOSFET im kompakten DFN3X3-8L-Gehäuse, optimiert für Niederspannungs-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
60 A
RDS(on)
5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

d824bbe5c0f278e1995727f351eddc34_2403261738_HXY-MOSFET-SI7106DN-T1-E3-HXY_C22366923.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI7106DN-T1-E3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für hocheffizientes Schalten mit niedrigem RDS(ON) und geringer Gate-Ladung.