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SI7121ADN-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI7121ADN-T1-GE3-HXY product

SI7121ADN-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30VDFN3X3-8L

Der SI7121ADN-T1-GE3 ist ein 30V P-Kanal-MOSFET im DFN3X3-8L-Gehäuse, optimiert für Hochstrom-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • High-Side-Schaltung
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Polarität erfordern
  • Umgebungen über 150°C

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-35 A
RDS(on)
15 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

cc9b4988549e924cc348fff88615f746_2403261740_HXY-MOSFET-SI7121ADN-T1-GE3-HXY_C22367081.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI7121ADN-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Hochstromanwendungen, der sich durch niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung auszeichnet.