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SI7129DN-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI7129DN-T1-GE3 product

SI7129DN-T1-GE3

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30VPowerPAK

Der Si7129DN-T1-GE3 ist ein leistungsstarker P-Kanal 30V-MOSFET im kompakten PowerPAK 1212-8-Gehäuse, optimiert für Last- und Adapterschaltungen in Notebooks.

Ideal für

  • Notebook-Stromverwaltung
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die hohe Stromstärken ohne ausreichende thermische Kühlung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstandswerte und PCB-Layout

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-35 A
RDS(on)
0.0114 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

StromversorgungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

0d6489866a20ecea979054828fdcce85_2102011806_Vishay-Intertech-SI7129DN-T1-GE3_C727679.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI7129DN-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal 30V TrenchFET-Leistungs-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.