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SI7137DP-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI7137DP-T1-GE3 product

SI7137DP-T1-GE3

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETPowerPAK SO-820V

Der SI7137DP-T1-GE3 ist ein leistungsstarker P-Kanal-20V-MOSFET von Vishay Siliconix, der für Hochstrom-Schaltanwendungen im kompakten PowerPAK SO-8-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Lastschalter
  • Adapter-Schalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine N-Kanal-Polarität erfordern
  • Hochspannungssysteme über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vds
-20 V
Id (kontinuierlich)
-60 A
Rds(on) max
0,00195 Ohm
Gehäuse
PowerPAK SO-8

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

787db414a445a953980f53252b0cf569_2009180305_Vishay-Intertech-SI7137DP-T1-GE3_C784367.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI7137DP-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen TrenchFET Gen III P-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für hocheffizientes Schalten entwickelt wurde und sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Stromkapazität auszeichnet.