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SI7145DP-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI7145DP-T1-GE3-HXY product

SI7145DP-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30V100A

Der SI7145DP-T1-GE3 ist ein P-Kanal-MOSFET für hohe Ströme im DFN5X6-8L-Gehäuse, ideal für Batterieschutz und Lastschalter.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Designs mit extrem begrenztem Platz, bei denen DFN5X6 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-100 A
RDS(ON)
< 4 mΩ
Gehäuse
DFN5X6-8L

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

4668552acef41b1efb081f9f926fd86b_2403261740_HXY-MOSFET-SI7145DP-T1-GE3-HXY_C22367087.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI7145DP-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Hochstrom-Schaltanwendungen, der sich durch einen niedrigen RDS(ON) und fortschrittliche Trench-Technologie auszeichnet.