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SI7149DP-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI7149DP-T1-GE3 product

SI7149DP-T1-GE3

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETTrenchFETPowerPAK SO-8

Der Si7149DP ist ein leistungsstarker P-Kanal 30V TrenchFET-MOSFET im PowerPAK SO-8-Gehäuse, der für Batterie- und Lastschaltanwendungen in tragbaren Geräten optimiert ist.

Ideal für

  • Notebook-Batteriemanagement
  • Hochstrom-Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Polarität erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-50 A
RDS(on)
5,2 mΩ
Qg
51 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

bfd8069075c4b79decbacb014da5d29c_2103242009_Vishay-Intertech-SI7149DP-T1-GE3_C553982.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI7149DP-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Er bietet eine Drain-Source-Spannung von -30V, einen kontinuierlichen Drain-Strom von -50A (gehäusebegrenzt) und einen niedrigen Einschaltwiderstand von 5,2mΩ bei -10V VGS.