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SI7309DN-T1-E3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI7309DN-T1-E3-HXY product

SI7309DN-T1-E3-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET60VDFN3x3

Der SI7309DN-T1-E3 ist ein -60V P-Kanal-MOSFET im DFN3x3-8L-Gehäuse, optimiert für Batterieschutz und Lastschaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Hochfrequenzschaltungen außerhalb der Nennwerte

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-20 A
RDS(ON)
< 60 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

3137cfb362e116ff3334dfc2e53e31d4_HXY MOSFET(华轩阳电子)&SI7309DN-T1-E3-HXY.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI7309DN-T1-E3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Schaltanwendungen mit einer Drain-Source-Spannung von -60V und niedrigem Einschaltwiderstand.