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SI7336ADP-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI7336ADP-T1-GE3-HXY product

SI7336ADP-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V150A

Der SI7336ADP-T1-GE3 ist ein N-Kanal-MOSFET für hohe Ströme im DFN5X6-8L-Gehäuse, optimiert für Schaltanwendungen und Batteriemanagement.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ansteuerung unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungskapazität auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
150 A
RDS(on)
< 2,4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

7f94664f1acf73475461e4d6c05c5d1e_2403261736_HXY-MOSFET-SI7336ADP-T1-GE3-HXY_C22366654.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI7336ADP-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.