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SI7414DN-T1-E3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI7414DN-T1-E3-HXY product

SI7414DN-T1-E3-HXY

MOSFETs

MOSFETN-Kanal60V

Der SI7414DN-T1-E3 ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im DFN3X3-8L-Gehäuse, ideal für Batterieschutz und Lastschaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit höheren Spannungs- oder Stromanforderungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
20 A
RDS(on)
30 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

cf00cf93a9d040949828b1d81b2f7951_2403261742_HXY-MOSFET-SI7414DN-T1-E3-HXY_C22367283.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI7414DN-T1-E3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Schaltanwendungen.