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SI7615CDN-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI7615CDN-T1-GE3-HXY product

SI7615CDN-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalLeistung

Der SI7615CDN-T1-GE3 ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET für anspruchsvolle Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-60 A
RDS(ON)
10 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

cddce33192239eb3fb461dae53efe658_2404231719_HXY-MOSFET-SI7615CDN-T1-GE3-HXY_C22366828.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI7615CDN-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im DFN3X3-8L-Gehäuse, optimiert für niedrigen Einschaltwiderstand.