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SI7619DN-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI7619DN-T1-GE3-HXY product

SI7619DN-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30VDFN3X3-8L

Der SI7619DN-T1-GE3 ist ein 30V P-Kanal-MOSFET im DFN3X3-8L-Gehäuse, optimiert für Batterieschutz und Lastschaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Polarität erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-25 A
RDS(ON)
16 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

eaec5b7a36ff86fd68d77f8985b8ea22_2403261738_HXY-MOSFET-SI7619DN-T1-GE3-HXY_C22366874.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI7619DN-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert, um einen niedrigen RDS(ON) und eine geringe Gate-Ladung zu erreichen.