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SI7635DP-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI7635DP-T1-GE3-HXY product

SI7635DP-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETDFN5X6-8LEnergieverwaltung

Der SI7635DP-T1-GE3 ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine höhere Spannungsfestigkeit als 18V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung für hohen Strom
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-18 V
ID
-80 A
RDS(ON)
< 3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

e7e040df7feec74f4f497292d017b699_2403261739_HXY-MOSFET-SI7635DP-T1-GE3-HXY_C22366938.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI7635DP-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der für effizientes Schalten und Batterieschutzanwendungen entwickelt wurde.