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SI9407BDY-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI9407BDY-T1-GE3 product

SI9407BDY-T1-GE3

MOSFETs - Single

MOSFETP-Kanal60VSO-8

Der Si9407BDY ist ein 60V P-Kanal TrenchFET-MOSFET im SO-8-Gehäuse, ideal für primärseitige Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Primärseitiges Schalten
  • Energieverwaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit höheren Strom- oder Spannungsanforderungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-4,7 A
RDS(on)
0,120 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

40f7febc1ddbfd08a17fced81549346e_1806131626_Vishay-Intertech-SI9407BDY-T1-GE3_C141567.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI9407BDY-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal 60V MOSFET von Vishay Siliconix für effiziente Schaltanwendungen.