ProjektePreiseInsights

SI9926CDY-T1-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SI9926CDY-T1-GE3-HXY product

SI9926CDY-T1-GE3-HXY

MOSFETs - Arrays

Dualer MOSFETN-KanalSOP-8

Der SI9926CDY-T1-GE3 ist ein dualer N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für Batterieschutz und Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeentwicklung und Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
8 A
RDS(on)
20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

0a20fa650c3b1ba834453d674e145e16_2403261740_HXY-MOSFET-SI9926CDY-T1-GE3-HXY_C22367025.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SI9926CDY-T1-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-MOSFET, der auf Trench-Technologie basiert und für niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung ausgelegt ist.