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SIA517DJ-T1-GE3-JSM KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SIA517DJ-T1-GE3-JSM product

SIA517DJ-T1-GE3-JSM

MOSFETs - Arrays

MOSFETN-KanalP-KanalPowerPAK

Der SIA517DJ-T1-GE3 ist ein kompaktes, thermisch optimiertes N- und P-Kanal-MOSFET-Paar für Lastschaltanwendungen in tragbaren Geräten.

Ideal für

  • Lastschaltung in tragbaren Geräten
  • Platzsparendes Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit >4,5A Dauerstrom
  • Systeme mit Spannungen über 12V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
12 V / -12 V
ID
4,5 A
Gehäuse
PowerPAK SC-70

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LastschalterTragbare Geräte

Datenblatt

07e068653279d64cf2b934bb6d6b28cc_2108150330_JSMSEMI-SIA517DJ-T1-GE3_C2874705.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SIA517DJ-T1-GE3-JSM laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein komplementäres N- und P-Kanal-MOSFET-Paar im PowerPAK SC-70-Gehäuse, das für 12V-Lastschaltanwendungen entwickelt wurde.