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SIA519EDJ-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SIA519EDJ-T1-GE3 product

SIA519EDJ-T1-GE3

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual-KanalPowerPAK20V

Der SIA519EDJ-T1-GE3 ist ein dualer N- und P-Kanal 20V-MOSFET im kompakten PowerPAK SC-70-6-Gehäuse, optimiert für Lastschaltanwendungen in tragbaren Geräten.

Ideal für

  • Tragbare Lastschaltung
  • Platzsparendes Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen, die thermische Grenzen überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeabfuhranforderungen

Wichtige Specs

VDS
20 V
Konfiguration
Dual N/P-Kanal
RDS(on)
40 mΩ / 90 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Tragbare GeräteLastschaltung

Datenblatt

da82854d0899d20d1b6f01398106c7eb_2108150330_JSMSEMI-SIA519EDJ-T1-GE3_C2874706.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SIA519EDJ-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen MOSFET (ein N-Kanal, ein P-Kanal) mit 20V-Nennspannung, untergebracht in einem thermisch verbesserten PowerPAK SC-70-6-Gehäuse.